產(chǎn)品展示

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  MKY-DBC-094晶閘管關(guān)斷時(shí)間測(cè)試儀

  MKY-DBC-094晶閘管關(guān)斷時(shí)間測(cè)試儀 適用范圍及特點(diǎn) 用于測(cè)試可控硅的關(guān)斷時(shí)間。 數(shù)字顯示測(cè)試結(jié)果，自動(dòng)完成測(cè)試。 主要參數(shù) 關(guān)斷時(shí)間測(cè)量范圍： 5-500us 外形尺寸：600X600X1250mm 整機(jī)重量：32kg

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  MKY-DBC-051晶閘管dv/dt測(cè)試儀

  MKY-DBC-051晶閘管dv/dt測(cè)試儀 適用范圍及特點(diǎn) 用于測(cè)試普通可控硅、雙向可控硅、快速可控硅和可控硅模塊的斷態(tài)電壓臨界上升率dV/dt。 數(shù)字顯示斷態(tài)峰值電壓VDM 。 主要參數(shù) 測(cè)量范圍： 斷態(tài)峰值電壓VDM 0-2000V； 電壓臨界上升率dV/dt 30-1000V/us 外形尺寸：440X440X150mm 整機(jī)重量：15kg

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  MKY-DBC-013B晶閘管通態(tài)降壓測(cè)試儀

  MKY-DBC-013B晶閘管通態(tài)降壓測(cè)試儀 適用范圍及特點(diǎn) 主要參數(shù) ◇ 用于測(cè)試普通可控硅、雙向可控硅、快速可控硅、可控硅模塊的通態(tài)峰值電流ITM和峰值壓降VTM ◇ 用于測(cè)試整流管的正向峰值電流IFM和峰值壓降VFM。 數(shù)字顯示測(cè)試結(jié)果，自動(dòng)測(cè)試。 通態(tài)峰值電流值測(cè)試前可準(zhǔn)確設(shè)定，并具有良好的測(cè)試重復(fù)性。 峰值電流測(cè)量范圍： 100-9000A 峰值壓降測(cè)量范圍： 0-7V

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  MKY-DBC-013AC晶閘管伏安特性測(cè)試儀

  MKY-DBC-013AC晶閘管伏安特性測(cè)試儀 主要參數(shù) 峰值電流測(cè)量范圍： 30-3000A 峰值壓降測(cè)量范圍： 0-7V 外形尺寸： 440×440×150mm 2箱 整機(jī)重量： 35kg

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  MKY-DBC-023C晶閘管阻斷電壓測(cè)試儀

  MKY-DBC-023C晶閘管阻斷電壓測(cè)試儀 參數(shù)： 正向斷態(tài)和反向阻斷電壓測(cè)量范圍：0-8000V 正向斷態(tài)和反向阻斷電流測(cè)量范圍：0-199mA 保護(hù)電流設(shè)定:0-199mA 外形尺寸：600×600×1000mm 整機(jī)重量：80kg

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  MKY-DBC-023B晶閘管伏安特性測(cè)試儀

  MKY-DBC-023B晶閘管伏安特性測(cè)試儀 主要參數(shù) 正向斷態(tài)和反向阻斷電壓測(cè)量范圍： MKY-DBC-023A 0-3000V MKY-DBC-023B 0-6000V 正向斷態(tài)和反向阻斷電流測(cè)量范圍： MKY-DBC-023A 0-99mA MKY-DBC-023B 0-199mA 保護(hù)電流設(shè)定: MKY-DBC-023A 0-99mA MKY-DBC-023B 0-199mA

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  MKY-DBC-023A晶閘管伏安特性測(cè)試儀

  MKY-DBC-023A晶閘管伏安特性測(cè)試儀 用于測(cè)試普通可控硅、快速可控硅、雙向可控硅、可控硅模塊、整流管的如下參數(shù)： ◇ 正向斷態(tài)電壓（VDRM）； ◇ 反向阻斷電壓（VRRM）； ◇ 正向斷態(tài)漏電流（IDRM）； ◇ 反向阻斷漏電流（IRRM）；

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  MKY-DBC-031晶閘管VGT IGT測(cè)試儀

  MKY-DBC-031晶閘管VGT IGT測(cè)試儀 主要參數(shù) 測(cè)量范圍： 觸發(fā)電流1-450mA； 觸發(fā)電壓0-7V； 維持電流1-450mA。 外形尺寸：440X440X150mm 整機(jī)重量：10kg

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